偶发缺陷:新技术提高LED照明效率

发光二极管(LEDs)日益普及用于节能照明技术北卡罗来纳州立大学研究者开发出新技术,减少硝化胶片缺陷,用于创建LED系统,提高效率

LED光线依赖GAN薄膜创建二极管结构产生光新技术将电影缺陷数减少二三级提高素材质量释放光Salah Bedair,NC州电机工程教授和NC州素材科学教授Nadia El-Masry合编论文描述研究光输出可增加二倍-二倍-千分之大。 低电输入LED和紫外射程LED尤其如此

研究者先用GAN薄膜开始,薄度二百万分之二密厚大空格-空格长二微米和直径0.25微米空格研究者发现薄膜缺陷引向空格并受困 — 将薄膜部分留到空格上方,缺陷少得多。

偏差微小错位 GAN电影晶体结构移位流出物直到到达表面研究者通过放空胶片有效放入素材中间,防止缺陷穿透胶片其余部分

空虚令人印象深刻

贝达尔表示:「无空白GaN电影约10分位元空虚后,有十大功率缺陷技术会为LED制造过程添加额外步骤, 但它会提高LED质量效率

论文“嵌入式空格处理后台GAN电影低缺陷密度问题”,17比应用物理字母.论文由Bedair共同编写Pavel Frajtag博士NC州立大学学生博士Nadia El-Masry,NCState材料学和工程学教授和Dr.N.NCState前博士后研究者NC研究实验室研究由美国资助陆军研究局

NC电机工程和材料科系是大学工程学院的一部分

机手-

编辑器注解 :学习文摘附后

嵌入式空白法 低缺陷密度上传GAN电影

作者类P.Frajtag,N.Amasry S.M.北卡罗来纳州立大学N.尼泊尔北卡罗来纳州立大学和海军研究实验室

发布: online Jan.17应用物理字母

抽象性 :开发出减少GaN子片缺陷技术技术依赖高密度嵌入微电文生成(~108/cm2)几微子直径长小于一微子空格靠近蓝宝石基底 高密度失序嵌入空格网络提供自由面,即变换汇或终止点处理GaN/sapphire接口生成错位传输电子学和原子力显微分析结果都确认调离密度一致下降二级