纳米点的突破可能导致“一个芯片上的文库”

北卡罗莱纳州立大学的一名研究人员开发了一种计算机芯片，它可以存储前所未有的大量数据——在一块芯片上足以存储整个图书馆的信息。这种新芯片源于纳米点或纳米级磁铁的使用上的突破，代表了计算机存储技术的重大进步。

“我们创造了磁nanodots nanodot存储一个比特的信息,让我们十亿多页的信息存储在一个芯片,是一平方英寸,”杰纳博士说,约翰·c·风扇杰出的椅子的材料科学与工程教授数控状态和作者的研究。

突破性的是，这些纳米点是由单一的、无缺陷的晶体构成的，创造出磁传感器，直接集成到硅电子芯片中。这些纳米点可以均匀地制成直径为6纳米的小点，它们都精确地以相同的方式定向，允许程序员可靠地向芯片读写数据。

这种芯片本身的制造是有成本效益的，但下一步是开发磁封装，使用户能够利用芯片——使用某些东西，如激光技术，可以有效地与纳米点相互作用。

这项研究由美国国家科学基金会(National Science Foundation)资助，于4月7日在旧金山举行的2011年材料研究协会春季会议上被邀请发表演讲。

北卡州立大学的材料科学与工程系是该大学工程学院的一部分。

希普曼-

编辑:研究摘要如下。

外延磁性纳米结构的自组装

作者: J.纳拉扬，北卡罗来纳州立大学

提出了: 2010年4月7日，2011年春季夫人会议，旧金山

文摘:本讲座主要讨论在脉冲激光沉积薄膜生长过程中磁性纳米点(如Ni, Ni- pt, Fe-Pt)的自组装过程。通过控制复合结构层中的应力/应变，这种自组装可以从二维结构扩展到三维结构。磁性能与尺寸、形状、取向和化学顺序密切相关。这次演讲的主要焦点是纳米点的外延取向和在Si(100)(1)上集成微电子/纳米电子器件。通过在Si(100)上外延生长TiN缓冲层来控制外延取向，并与使用非晶态氧化铝缓冲层形成的随机取向纳米点进行了比较。外延结构(Ni, Ni- pt, Fe-Pt)/TiN/Si(100)的晶格失配范围从8%到22%不等，这可以通过我们的领域外延范式(2)进行处理。DME范式涉及跨界面的晶格平面积分倍数匹配，我们讨论了Ni-Pt和FePt结构的优化和原子有序，以及通过控制薄膜加工参数和退火条件与磁性能的相关性。