原始电源：缓冲器提升GaN设备容量

氮化镓（GaN）器件应该是电力电子设备的下一个大事（思考电动汽车或智能电网）。或者，如果他们在暴露于高电压时没有继续打破。通过植入由氩气制成的缓冲器可以解决新的研究，使设备能够处理大量的十倍。

迄今为止，当暴露于250伏时，由GaN制成的二极管通常会破裂。这是一个门槛问题。如果电源设备无法处理大量功率，它是什么好处？具体地，GaN设备的问题是高压在设备边缘上的特定点处产生电场。这些字段打破了设备。

但是，来自NC州的研究团队，由此引领杰伊巴利娜，提出了一个解决方案。通过在GaN设备的边缘植入氩气，该团队能够创建一个可以处理超过1,600伏的GaN二极管。氩气用作缓冲器，防止电场在一个点处集中并断开装置。该研究在将来的问题上发表电子设备字母。

这一提前将GaN设备的电阻降低了10,000％（！） - 这意味着设备可以处理10倍的功率。

如果你喜欢我，并不完全了解电力如何运作，这是一个底漆。但基本点是这样的：我们现在可以制作电子设备，用于电动汽车等酷的东西，可以处理更多原始力量。