要建立更好的半导体，首先识别其缺陷

氧化镓是一种显着的宽带隙半导体材料。简而言之，这意味着它可能用于创建能够在极端条件下运行的电子设备 - 例如暴露于高热和高剂量的辐射时。但在它可以找到广泛使用之前，我们需要更多地了解它。

“为了充分利用这种材料，我们需要了解其晶体结构的原子水平缺陷，”葛阳是NC州核工程助理教授。

这正是杨和他的合作者所做的事情。在最近的一篇论文中，“Fe掺杂β-GA的低温阴极致发光研究₂O._3.那“发表在材料字母，研究人员能够识别可以在材料中找到的一系列缺陷。

“一旦你知道材料中存在什么缺陷，就可以弄清楚这些缺陷如何影响材料的电子特性 - 我们现在正在进行中，”杨说。“我们可以找到诱导或减少这些缺陷的方法，具体取决于特定应用所需的属性。我们也在努力。“

本文的第一个作者是伊布拉姆汉班，博士。纳邦国家的学生;杨是本文的相应作者。本文是共同撰写的川镇伊兰周，NC州分析仪表设施的研发经理;帝甘国民实验室的高级员工科学家成孙;肯纳戈杜古德，NC州的物理教授;Dovletgeldi Seyitliyev和NC州的研究生学生和埃里克门店;Felix Castellano，晚安创新在国家统计学州立大学学教授化学教授;大理太阳，NC州的物理学助理教授;北科亚州化学系的实验室主任Evgeny Danilov。

这项工作是以美国核监管委员会的支持，并在DOE Idaho运营办公室合同DEAC07-0517下的实验室指导研发计划完成。