计算机芯片上的多功能智能传感器和高功率器件

来自北卡罗来纳州立大学的研究人员拥有专利技术，预计将彻底改变全球能源和通信基础设施 - 并在该过程中创造职位。

研究人员首次开发了一种手段，首次将氮化镓（GaN）传感器和器件直接整合到基于硅的计算机芯片中。“这使得能够开发高功率 - 高压和高电流 - 设备对于开发能量分配装置，例如智能电网技术和高频军事通信，”Jay Narayan博士说John C.凡富校教授材料科学与工程专利专利。

“GaN可以处理比传统晶体管更多的功率。它可以更快地进行，因为它可以制成一块被整合到硅芯片中的单晶 - 所以电子可以更快地移动，“Narayan说。

“这种情况下GaN在没有任何缓冲层的硅平台上的整合已经启用了多功能智能传感器，高电子移动晶体管，高功率器件和影响我们能源和环境未来的智能电网的高压开关，”Narayan解释道。

将GaN集成到硅芯片中也使得更广泛的无线电频率可用，这将实现高级通信技术的开发。Narayan说：“这些设备符合高功率，高频和高带宽需求的挑战，高功率，高频和高带宽需求，”Narayan说。

“美国仍然领导着创新的世界，”Narayan说。“但随着互联网的出现和即时沟通，只需做创新的研究就不够了。我们必须采取措施，确保我们在创新中的优势可以翻译成在家中创造工作的产品。“

“基于不同类型的半导体的设备直接集成在硅芯片上具有相当大的兴趣，因为它可以实现不同的功能，例如激光或更高的性能晶体​​管，”国家科学基金会（NSF）博士表示资助NC州的GaN研究。“Narayan教授使用了一个特殊的过程，允许在硅上融合半导体材料，以便制造混合型计算机芯片。该研究可能导致具有远优越的电力和表现的晶体管，寻求许多商业和军事通信应用。“

导致GaN突破的研究是由Narayan和前NC州立博士完成的。学生Thomas Rawdanowicz并发表于应用物理字母和美国专利No.7,803,717发起的9月28日。NSF目前通过Narayan提供了该地区的其他研究。

基于U.S.的公司已经在许可技术的过程中。

NC州材料科学与工程系是大学工程学院的一部分。

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