两个世界的最佳:动力设备的自由对开关
宽频带隙半导体作为中高压电源器件显示出巨大的潜力，因为它们能够在更高的温度下更有效地工作。
然而，目前，它们的高成本阻碍了它们被广泛采用于主流主流和行业标准——由硅制成的绝缘栅双极晶体管(IGBT)——这种晶体管通常工作得很好，但在开关时会造成巨大的能量损失。
现在，来自北卡罗来纳州立大学的研究表明，将这些不同的开关组合在电力设备内部可以提高性能，同时保持相对较低的成本。
进步能源特聘教授、能源与环境研究中心创始主任FREEDM系统中心，和电子工程研究生宋晓青，开发了所谓的FREEDM-Pair，结合了IGBT器件的工人般的优点和高性能碳化硅宽带隙器件。
结果表明，IGBT开关处理大电流流，而宽带隙开关处理低电流和开关，最大限度地发挥了每个开关的优势。
6.5千伏特的freedm -对的实验结果显示，与使用IGBT器件本身相比，开关损耗降低了70%，成本高出50%。
宋说:“我们预计，随着时间的推移，成本将继续下降。”
本月早些时候，黄在瑞士日内瓦举行的第17届欧洲电力电子与应用会议上介绍了这项研究。
