新技术使LED亮，更具弹性
来自北卡罗来纳州立大学的研究人员开发了一种新的加工技术，通过用一层磷衍生的酸涂覆半导体材料镓氮化镓（GaN）使发光二极管（LED）更亮，更具弹性。
“通过用自组装的膦基团涂覆极性GaN，我们能够增加发光而不会增加能量输入，”斯图尔特威尔金斯说，Ph.D。在NC州和纸质的主要作者的学生描述了这项工作。“膦基团也提高稳定性，使得GaN不太可能在溶液中降解。
“使GaN更加稳定，”威尔金斯补充道“，因为这使得在生物医学应用中使用更加可行，例如植入传感器。”
研究人员从极地GaN开始，由交替的镓和氮的层组成。为了增加发光，它们用磷酸蚀刻材料的表面。同时，它们添加了膦基 - 含有磷的有机分子 - 将自组装成材料表面上的单层。该层进一步提高了发光并通过使得与其环境的化学反应不太可能改善GaN的稳定性。
本文，“在蚀刻期间与膦酸衍生物的氮化镓的原位化学官能化，“在线在线发布兰姆尔。本文的高级作者是NC州立国内委员会州和北卡罗来纳大学的国家科学与工程副教授博士伊万西雅（Albena Ivanisevic），是NC州和北卡罗来纳大学在教堂山的北卡罗来纳大学。本文由统计局统计副教授Consuelo Arellano博士合作;坦尼亚帕斯沃博士是NC州的电气计算机工程研究教授;和米歇尔格兰利，瓦格纳学院的本科生。
该研究部分受到国家科学基金会在拨款EEC 1156762下的支持。
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编辑注：研究摘要跟随。
“在蚀刻期间与膦酸衍生物的氮化镓的原位化学官能化”
作者：北卡罗来纳州立大学斯图尔特J. Wilkins，Consuelo Arellano和Tania Paskova;Michelle Greenough，瓦格纳学院;和Albena Ivanisevic，北卡罗来纳州立大学和教堂山的北卡罗来纳大学
发表：2014年2月在线，兰姆尔
迪伊：10.1021 / LA404511B
抽象的：通过将（3-溴丙基）膦酸或丙基膦酸加入磷酸蚀刻来进行极性（C平面）和非极性（平面）氮化镓（GaN）的氮化镓（GaN）的原位官能化。该靶标是通过用原子力显微镜，X射线光电子体光谱，光致发光（PL），电感耦合等离子体质谱和水接触角来调节GaN的发射性能和氧化氧化物形成。（3-溴丙基）膦酸和丙基膦酸在磷酸中显示出较低的氧化镓形成和对两个样品组的更大疏水性，同时还改善了极性GaN样品的PL发射。除了晶体取向之外，还研究了生长相关的因素，例如散装GaN中的缺陷密度，薄GaN薄膜在蓝宝石衬底上进行了研究，以及它们对原位官能化的反应。薄的非极性GaN层对蚀刻处理最敏感，部分缺陷密度（堆叠故障和螺纹脱位），这占大的表面凹陷。高质量的GaN（散装散装极性和散装非极性）显示对氧化物形成的敏感性增加。室温PL亮起作为在异质型生长的GaN样品的光谱中观察到的非阵列重组的优异技术。应用于调整GaN的光学和物理性质的化学方法为未来的新型化学和生物化学传感器发育提供了定量框架。
